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Integra Technologies lança primeira tecnologia 100V RF GaN/SiC do setor para aplicações de defesa de missão crítica

·3 minuto de leitura

Primeiro produto 100V RF GaN da Integra, o IGN1011S3600 entrega revolucionário desempenho de potência de saída de 3,6 kiloWatts com 70% de eficiência para sistemas aviônicos de próxima geração

EL SEGUNDO, Califórnia, July 14, 2021--(BUSINESS WIRE)--A Integra, uma provedora líder inovadora de soluções RF e potência de micro-ondas que ajuda a tornar o mundo mais seguro e mais conectado, apresentou hoje a primeira tecnologia 100V RF GaN/SiC do setor focada em uma ampla variedade e aplicações incluindo radar, aviônicos, guerra eletrônica, industrial e sistemas científicos e médicos. Operando a 100V, essa tecnologia quebra as barreiras do desempenho de potência RF alcançando 3,6 kiloWatts (kW) de potência de saída em um único transistor GaN. O 100V GaN da Integra oferece aos projetistas a habilidade para aumentar drasticamente os níveis de potência e funcionalidade do sistema, enquanto simplifica as arquiteturas do sistema com menos circuitos de combinação de energia quando comparado à mais usual tecnologia 50V/65V GaN. Os clientes se beneficiam de uma menor pegada de sistema e mais baixo custo de sistema.

Suja Ramnath, presidente e diretor executivo da Integra disse: "A tecnologia 100V RF GaN da Integra significa um importante marco no mercado de alta potência. Essa tecnologia inovadora remove barreiras que atualmente limitam o desempenho do sistema e permite novas arquiteturas que não eram até então possíveis. Estamos empolgados com essa tecnologia transformadora que permitirá que nossos clientes entreguem uma nova geração de soluções de potência de alto desempenho e multikiloWatt RF enquanto reduzem o tempo de ciclo de projeto e custos de produção".

Dr. Mahesh Kumar, executivo de arquitetura e tecnologia de sistemas de radares aeroespaciais e de defesa, disse: "A primeira tecnologia 100V RF GaN da Integra para o mercado redefinirá completamente o que é possível para sistemas RF de alta potência". Ao entregar aproximadamente o dobro da potência em comparação a um transistor 50V GaN em um único pacote, ele eliminará um significativo número de combinadores e circuitos eletrônicos associados, resultando em menor volume, peso e custo do sistema, e maior eficiência do sistema.

O primeiro produto 100V RF GaN da Integra é o IGN1011S3600, projetado especificamente para aplicações aviônicas. O IGN1011S3600 entrega uma potência de saída de 3,6 kW, líder no setor, com 19 dB de ganho e 70% de eficiência. O IGN1011S3600, baseado no 100V RF GaN da Integra, é uma solução atraente para programas que requerem melhorias em tamanho, peso, potência e custo (SWAP-C). O IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC está disponível para amostragem para clientes qualificados.

Número da peça

IGN1011S3600

Faixa de frequência

1030-1090 MHz

Potência de saída

3600 W

Eficiência

70%

Grande ganho de sinal

19 dB

Tendência de drenagem

100 V

SOBRE A INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.

Fundada em 1997, a Integra é uma inovadora líder de soluções de paletes de amplificador e semicondutor de alta potência de RF e micro-ondas para aplicações de missão crítica, incluindo radar de última geração, guerra eletrônica e sistemas de comunicação avançados. Para outras informações, acesse www.integratech.com.

A versão oficial e autorizada do comunicado é a emitida na língua original do mesmo. A tradução é apenas uma ajuda, devendo a mesma ser conferida com o texto na sua língua original, que é a única versão com validade legal.

Ver a versão original em businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20210713006208/pt/

Contacts

Angie Callau
Integra Technologies Inc
acallau@integratech.com
310-606-0855 x141

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